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中芯国际宣布背照式CMOS传感器开发取得

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来源: 作者: 2018-10-29 10:06:51

中芯国际宣布背照式CMOS传感器开发取得突破

导读:

相对于前照式CMOS图像传感器,背照式传感器有着更高的光敏性,有助于智能在黑暗中或室内拍摄出亮度更高、更清晰的照片。在推动背照式CMOS图像传感器量产的同时,中芯国际将很快开始开发下一代基于3D集成电路的CMOS图像传感器技术。

北京时间12月20日晚间消息,中芯国际(NYSE:SMI)宣布,该公司在背照式CMOS图像传感器的开发中取得突破,第一款测试芯片即使是在弱光环境下也能取得不错的图像效果。  这一背照式处理技术为中芯国际独立开发,将提供给高端的摄像头。中芯国际将于2013年与合作伙伴一起生产这款芯片。中芯国际在背照式处理技术方面的成功将扩大该公司的CMOS图像传感器产品线,包括500万或更高像素的摄像头,以及高性能视频摄像头。  相对于前照式CMOS图像传感器,背照式传感器有着更高的光敏性,有助于智能在黑暗中或室内拍摄出亮度更高、更清晰的照片。在推动背照式CMOS图像传感器量产的同时,中芯国际将很快开始开发下一代基于3D集成电路的CMOS图像传感器技术。

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